Opis
Naše podjetje nudi storitve postopka nanosa SiC prevleke s CVD metodo na površino grafita, keramike in drugih materialov, tako da posebni plini, ki vsebujejo ogljik in silicij, reagirajo pri visoki temperaturi, da dobimo molekule SiC visoke čistosti, molekule, ki se nanesejo na površino prevlečenih materialov, tvori zaščitno plast SIC.
Glavne značilnosti
1. Visokotemperaturna oksidacijska odpornost: oksidacijska odpornost je še vedno zelo dobra, ko temperatura doseže 1600 C.
2. Visoka čistost: narejeno s kemičnim naparjevanjem v pogojih kloriranja pri visoki temperaturi.
3. Odpornost proti eroziji: visoka trdota, kompaktna površina, drobni delci.
4. Odpornost proti koroziji: kisline, alkalije, sol in organski reagenti.
Glavne specifikacije prevleke CVD-SIC
| SiC-CVD lastnosti | ||
| Kristalna struktura | FCC β faza | |
| Gostota | g/cm³ | 3.21 |
| Trdota | Trdota po Vickersu | 2500 |
| Velikost zrn | μm | 2~10 |
| Kemijska čistost | % | 99,99995 |
| Toplotna zmogljivost | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura sublimacije | ℃ | 2700 |
| Feleksuralna moč | MPa (RT 4-točkovno) | 415 |
| Youngov modul | Gpa (upogib 4 točke, 1300 ℃) | 430 |
| Toplotna ekspanzija (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Toplotna prevodnost | (W/mK) | 300 |
-
Vroče območje grafitnega grelnika/vroče polje grafita, ka...
-
Pladnji za zatiče iz SiC za postopke jedkanja ICP v ...
-
Polovični deli za SiC epitaksialno opremo
-
Reaktor, prevlečen s karbidom
-
SiC prevlečen grafitni sod za epitaksialno rast
-
S SiC prevlečenim polprevodniškim epitaksialnim reaktorjem za ...