Naše podjetje zagotavljaSiC prevlekaprocesne storitve na površini grafita, keramike in drugih materialov z metodo CVD, tako da lahko posebni plini, ki vsebujejo ogljik in silicij, reagirajo pri visoki temperaturi, da dobijo molekule Sic visoke čistosti, ki se lahko nanesejo na površino prevlečenih materialov, da tvorijoSiC zaščitna plastza hipnotik tipa sod za epitaksijo.
Glavne značilnosti:
1. SiC prevlečen grafit visoke čistosti
2. Vrhunska toplotna odpornost in toplotna enotnost
3. V reduPrevlečen s kristali SiCza gladko površino
4. Visoka vzdržljivost proti kemičnemu čiščenju
Glavne specifikacije zaCVD-SIC prevleka
| SiC-CVD lastnosti | ||
| Kristalna struktura | FCC β faza | |
| Gostota | g/cm³ | 3.21 |
| Trdota | Trdota po Vickersu | 2500 |
| Velikost zrn | μm | 2~10 |
| Kemijska čistost | % | 99,99995 |
| Toplotna zmogljivost | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura sublimacije | ℃ | 2700 |
| Feleksuralna moč | MPa (RT 4-točkovno) | 415 |
| Youngov modul | Gpa (upogib 4 točke, 1300 ℃) | 430 |
| Toplotna ekspanzija (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Toplotna prevodnost | (W/mK) | 300 |
