English

Reaktor s prevleko iz SiC za epitaksijo v tekoči fazi

Sod reaktor s prevleko iz SiC za epitaksijo v tekoči fazi Prikazana slika
  • Reaktor s prevleko iz SiC za epitaksijo v tekoči fazi

Kratek opis:

Semicera ponuja obsežno paleto suceptorjev in grafitnih komponent, zasnovanih za različne epitaksijske reaktorje.

S strateškim partnerstvom z vodilnimi proizvajalci originalne opreme v panogi, obsežnim strokovnim znanjem o materialih in naprednimi proizvodnimi zmogljivostmi Semicera zagotavlja prilagojene modele za izpolnjevanje posebnih zahtev vaše aplikacije. Naša zavezanost k odličnosti zagotavlja, da boste prejeli optimalne rešitve za vaše potrebe po epitaksijskem reaktorju.

 

 


Podrobnosti o izdelku

Oznake izdelkov

Naše podjetje zagotavljaSiC prevlekaprocesne storitve na površini grafita, keramike in drugih materialov z metodo CVD, tako da lahko posebni plini, ki vsebujejo ogljik in silicij, reagirajo pri visoki temperaturi, da dobijo molekule Sic visoke čistosti, ki se lahko nanesejo na površino prevlečenih materialov in tvorijoSiC zaščitna plastza hipnotik tipa sod za epitaksijo.

 

Glavne značilnosti:

1. SiC prevlečen grafit visoke čistosti

2. Vrhunska toplotna odpornost in toplotna enotnost

3. V reduPrevlečen s kristali SiCza gladko površino

4. Visoka vzdržljivost proti kemičnemu čiščenju

 
Cev suceptor za epitaksijo v tekoči fazi

Glavne specifikacijeCVD-SIC prevleka

SiC-CVD lastnosti
Kristalna struktura FCC β faza
Gostota g/cm³ 3.21
Trdota Trdota po Vickersu 2500
Velikost zrn μm 2~10
Kemijska čistost % 99,99995
Toplotna zmogljivost J·kg-1 ·K-1 640
Temperatura sublimacije ℃ 2700
Feleksuralna moč MPa (RT 4-točkovno) 415
Youngov modul Gpa (upogib 4 točke, 1300 ℃) 430
Toplotna ekspanzija (CTE) 10-6K-1 4.5
Toplotna prevodnost (W/mK) 300

 

 
2--cvd-sic-čistost---99-99995-_60366
5----sic-crystal_242127
Delovno mesto Semicera
Delovno mesto Semicera 2
Stroj za opremo
CNN obdelava, kemično čiščenje, CVD premaz
Naše storitve
  • Prejšnja:
  • Naprej:

    • PORODNI IZDELKI