Opis
Naše podjetje nudi storitve postopka nanosa SiC prevleke s CVD metodo na površino grafita, keramike in drugih materialov, tako da posebni plini, ki vsebujejo ogljik in silicij, reagirajo pri visoki temperaturi, da dobimo molekule SiC visoke čistosti, molekule, ki se nanesejo na površino prevlečenih materialov, tvori zaščitno plast SIC.
Glavne značilnosti
1. Odpornost proti oksidaciji pri visoki temperaturi:
odpornost proti oksidaciji je še vedno zelo dobra, ko temperatura doseže 1600 C.
2. Visoka čistost: narejeno s kemičnim naparjevanjem v pogojih kloriranja pri visoki temperaturi.
3. Odpornost proti eroziji: visoka trdota, kompaktna površina, drobni delci.
4. Odpornost proti koroziji: kisline, alkalije, sol in organski reagenti.
Glavne specifikacije prevleke CVD-SIC
| SiC-CVD lastnosti | ||
| Kristalna struktura | FCC β faza | |
| Gostota | g/cm³ | 3.21 |
| Trdota | Trdota po Vickersu | 2500 |
| Velikost zrn | μm | 2~10 |
| Kemijska čistost | % | 99,99995 |
| Toplotna zmogljivost | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura sublimacije | ℃ | 2700 |
| Feleksuralna moč | MPa (RT 4-točkovno) | 415 |
| Youngov modul | Gpa (upogib 4 točke, 1300 ℃) | 430 |
| Toplotna ekspanzija (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Toplotna prevodnost | (W/mK) | 300 |
-
Semi-ceras Barrel Reactor: Krepitev Semicondu...
-
Pladnji za zatiče iz SiC za postopke jedkanja ICP v ...
-
GaN epitaksija na osnovi silicija
-
Visokokakovostna prevleka iz tantalovega karbida (TaC).
-
LED sijalka, odporna na visoke temperature in korozijo...
-
Grafitni susceptor s prevleko iz silicijevega karbida...