Opis
TheSusceptorji rezin iz silicijevega karbida (SiC).za MOCVD iz Semicera so zasnovani za napredne epitaksialne postopke in ponujajo vrhunsko zmogljivost za obaSi EpitaksijainSiC epitaksijaaplikacije. Semicerin inovativni pristop zagotavlja, da so ti suceptorji vzdržljivi in učinkoviti ter zagotavljajo stabilnost in natančnost za kritične proizvodne operacije.
Zasnovan za podporo zapletenim potrebamMOCVD susceptorsistemov, so ti izdelki vsestranski, združljivi z nosilci, kot so PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier in RTP Carrier. Zaradi svoje prilagodljivosti so primerni za visokotehnološke industrije, vključno s tistimi, ki delajo zLED epitaksialnoSusceptor in monokristalni silicij.
Z več konfiguracijami, vključno s sodčastim sprejemnikom in sprejemnikom za palačinke, so ti rezinski sprejemniki bistveni tudi v fotovoltaičnem sektorju, saj podpirajo proizvodnjo fotovoltaičnih delov. Za proizvajalce polprevodnikov so zaradi zmožnosti obdelave postopkov epitaksije GaN na SiC ti sprejemniki zelo dragoceni za zagotavljanje visokokakovostnega izhoda v številnih aplikacijah.
Glavne značilnosti
1. SiC prevlečen grafit visoke čistosti
2. Vrhunska toplotna odpornost in toplotna enotnost
3. V reduPrevlečen s kristali SiCza gladko površino
4. Visoka vzdržljivost proti kemičnemu čiščenju
Glavne specifikacije prevlek CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Gostota | (g/cc) | 3.21 |
| Upogibna trdnost | (Mpa) | 470 |
| Toplotno raztezanje | (10-6/K) | 4 |
| Toplotna prevodnost | (W/mK) | 300 |
Pakiranje in pošiljanje
Zmogljivost dobave:
10000 kosov/kosov na mesec
Pakiranje in dostava:
Pakiranje: standardno in močno pakiranje
Poli vrečka + Škatla + Škatla + Paleta
vrata:
Ningbo/Šenžen/Šanghaj
Čas izvedbe:
| Količina (kosov) | 1-1000 | > 1000 |
| Ocena Čas (dnevi) | 30 | Za pogajanja |
