Grafitni susceptor s prevleko iz silicijevega karbida, pladenj za sod

Grafitni susceptor s prevleko iz silicijevega karbida, predstavljena slika

Kratek opis:

Semicera ponuja obsežno paleto suceptorjev in grafitnih komponent, zasnovanih za različne epitaksijske reaktorje.

S strateškim partnerstvom z vodilnimi proizvajalci originalne opreme v panogi, obsežnim strokovnim znanjem o materialih in naprednimi proizvodnimi zmogljivostmi Semicera zagotavlja prilagojene modele za izpolnjevanje posebnih zahtev vaše aplikacije.Naša zavezanost k odličnosti zagotavlja, da boste prejeli optimalne rešitve za vaše potrebe po epitaksijskem reaktorju.

Pošljite nam e-pošto

Podrobnosti o izdelku

Oznake izdelkov

Opis

Naše podjetje nudi storitve postopka nanosa SiC prevleke s CVD metodo na površino grafita, keramike in drugih materialov, tako da posebni plini, ki vsebujejo ogljik in silicij, reagirajo pri visoki temperaturi, da dobimo molekule SiC visoke čistosti, molekule, ki se nanesejo na površino prevlečenih materialov, tvori zaščitno plast SIC.

približno (1)

približno (2)

Glavne značilnosti

1. SiC prevlečen grafit visoke čistosti

2. Vrhunska toplotna odpornost in toplotna enotnost

3. Fini SiC kristalno prevlečeni za gladko površino

4. Visoka vzdržljivost proti kemičnemu čiščenju

Glavne specifikacije prevleke CVD-SIC

SiC-CVD lastnosti
Kristalna struktura	FCC β faza
Gostota	g/cm³	3.21
Trdota	Trdota po Vickersu	2500
Velikost zrn	μm	2~10
Kemijska čistost	%	99,99995
Toplotna zmogljivost	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sublimacije	℃	2700
Feleksuralna moč	MPa (RT 4-točkovno)	415
Youngov modul	Gpa (upogib 4 točke, 1300 ℃)	430
Toplotna ekspanzija (CTE)	10-6K-1	4.5
Toplotna prevodnost	(W/mK)	300