Naše podjetje zagotavljaSiC prevlekaprocesne storitve na površini grafita, keramike in drugih materialov z metodo CVD, tako da lahko posebni plini, ki vsebujejo ogljik in silicij, reagirajo pri visoki temperaturi, da dobijo molekule Sic visoke čistosti, ki se lahko nanesejo na površino prevlečenih materialov in tvorijoSiC zaščitna plastza hipnotik tipa sod za epitaksijo.
Glavne značilnosti:
1. SiC prevlečen grafit visoke čistosti
2. Vrhunska toplotna odpornost in toplotna enotnost
3. V reduPrevlečen s kristali SiCza gladko površino
4. Visoka vzdržljivost proti kemičnemu čiščenju
Glavne specifikacijeCVD-SIC prevleka
| SiC-CVD lastnosti | ||
| Kristalna struktura | FCC β faza | |
| Gostota | g/cm³ | 3.21 |
| Trdota | Trdota po Vickersu | 2500 |
| Velikost zrn | μm | 2~10 |
| Kemijska čistost | % | 99,99995 |
| Toplotna zmogljivost | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura sublimacije | ℃ | 2700 |
| Feleksuralna moč | MPa (RT 4-točkovno) | 415 |
| Youngov modul | Gpa (upogib 4 točke, 1300 ℃) | 430 |
| Toplotna ekspanzija (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Toplotna prevodnost | (W/mK) | 300 |
-
Visokokakovostna grelna naprava s prevleko iz silicijevega karbida...
-
EPI 3 1/4″ Barrel Reactor
-
Obroč za fokusiranje iz trdnega SiC
-
Grafitni susceptor s prevleko iz silicijevega karbida
-
Epitaksialni reaktorski valj, prevlečen s SiC
-
Polprevodniški nosilec za čolne iz kristalov iz silicijevega karbida ...