Rezina iz silicijevega karbidaje izdelan iz silicijevega prahu visoke čistosti in ogljikovega prahu visoke čistosti kot surovin, kristal silicijevega karbida pa se goji s fizično metodo prenosa hlapov (PVT) in predela vrezina iz silicijevega karbida.
① Sinteza surovin.Silicijev prah visoke čistosti in ogljikov prah visoke čistosti sta bila mešana v določenem razmerju, delci silicijevega karbida pa so bili sintetizirani pri visoki temperaturi nad 2000 ℃.Po drobljenju, čiščenju in drugih postopkih se pripravijo surovine prahu silicijevega karbida visoke čistosti, ki izpolnjujejo zahteve za rast kristalov.
② Rast kristalov.Z uporabo prahu SIC visoke čistosti kot surovine je bil kristal vzgojen z metodo fizičnega prenosa pare (PVT) z uporabo peči za rast kristalov, ki smo jo sami razvili.
③ obdelava ingotov.Dobljeni kristalni ingot silicijevega karbida je bil orientiran z rentgenskim monokristalnim orientatorjem, nato brušen in valjan ter predelan v kristal silicijevega karbida standardnega premera.
④ Rezanje kristalov.Z uporabo večlinijske rezalne opreme se kristali silicijevega karbida razrežejo na tanke plošče debeline največ 1 mm.
⑤ Brušenje odrezkov.Rezina je brušena do želene ravnosti in hrapavosti z diamantnimi brusilnimi tekočinami različnih velikosti delcev.
⑥ Poliranje ostružkov.Polirani silicijev karbid brez površinskih poškodb je bil pridobljen z mehanskim poliranjem in kemično mehanskim poliranjem.
⑦ Zaznavanje čipov.Uporabite optični mikroskop, rentgenski difraktometer, mikroskop na atomsko silo, brezkontaktni tester upornosti, tester ravnosti površine, celovit tester površinskih napak ter druge instrumente in opremo za odkrivanje gostote mikrotubulov, kakovosti kristalov, površinske hrapavosti, upornosti, zvijanja, ukrivljenosti, sprememba debeline, površinske praske in drugi parametri rezin iz silicijevega karbida.Glede na to se določi raven kakovosti čipa.
⑧ Čiščenje ostružkov.Polirno ploščo iz silicijevega karbida očistimo s čistilnim sredstvom in čisto vodo, da odstranimo ostanke polirne tekočine in drugo površinsko umazanijo na polirni plošči, nato pa rezino odpihnemo in stresemo do suhega z dušikom ultra visoke čistosti in sušilnim strojem;Rezina je zapakirana v škatlo s čistimi listi v super čisti komori, da nastane za uporabo pripravljena rezina iz silicijevega karbida.
Večja kot je velikost čipa, težja je ustrezna tehnologija rasti kristalov in obdelave, in večja kot je proizvodna učinkovitost naprav, nižja je cena enote.
Čas objave: 24. nov. 2023