Na današnjem področju elektronske tehnologije igrajo polprevodniški materiali ključno vlogo.Med njimi je silicijev karbid (SiC) kot polprevodniški material s široko pasovno vrzeljo, s svojimi odličnimi zmogljivostnimi prednostmi, kot so visoko prebojno električno polje, visoka hitrost nasičenja, visoka toplotna prevodnost itd., Postopoma postaja v središču pozornosti raziskovalcev in inženirjev.Epitaksialni disk iz silicijevega karbida kot njegov pomemben del je pokazal velik potencial uporabe.
一、Zmogljivost epitaksialnih diskov: vse prednosti
1. Ultra visoko razgradno električno polje: v primerjavi s tradicionalnimi silicijevimi materiali je razgradno električno polje silicijevega karbida več kot 10-krat.To pomeni, da lahko pod enakimi napetostnimi pogoji elektronske naprave, ki uporabljajo epitaksialne diske iz silicijevega karbida, prenesejo višje tokove, s čimer ustvarijo visokonapetostne, visokofrekvenčne in zmogljive elektronske naprave.
2. Hitrost nasičenja pri visoki hitrosti: hitrost nasičenja silicijevega karbida je več kot 2-krat večja od silicija.Epitaksialni disk iz silicijevega karbida, ki deluje pri visoki temperaturi in visoki hitrosti, deluje bolje, kar bistveno izboljša stabilnost in zanesljivost elektronskih naprav.
3. Visoka učinkovitost toplotne prevodnosti: toplotna prevodnost silicijevega karbida je več kot 3-krat večja od silicija.Ta funkcija omogoča elektronskim napravam boljše odvajanje toplote med neprekinjenim delovanjem z visoko močjo, s čimer se prepreči pregrevanje in izboljša varnost naprave.
4. Odlična kemična stabilnost: v ekstremnih okoljih, kot so visoka temperatura, visok tlak in močno sevanje, je delovanje silicijevega karbida še vedno stabilno kot prej.Ta funkcija omogoča, da epitaksialni disk iz silicijevega karbida ohrani odlično zmogljivost v kompleksnih okoljih.
二、proizvodni proces: skrbno izrezljan
Glavni postopki za proizvodnjo epitaksialnih diskov SIC vključujejo fizično naparjanje (PVD), kemično naparjanje (CVD) in epitaksialno rast.Vsak od teh procesov ima svoje značilnosti in zahteva natančno kontrolo različnih parametrov za doseganje najboljših rezultatov.
1. Postopek PVD: Z izhlapevanjem ali naprševanjem in drugimi metodami se tarča SiC nanese na substrat, da se tvori film.Film, pripravljen s to metodo, ima visoko čistost in dobro kristaliničnost, vendar je hitrost proizvodnje relativno počasna.
2. Postopek CVD: S krekiranjem izvornega plina silicijevega karbida pri visoki temperaturi se le-ta nanese na podlago in tvori tanek film.Debelino in enakomernost filma, pripravljenega s to metodo, je mogoče nadzorovati, vendar sta čistost in kristaliničnost slabi.
3. Epitaksialna rast: rast SiC epitaksialne plasti na monokristalnem siliciju ali drugih monokristalnih materialih z metodo kemičnega naparjevanja.Epitaksialna plast, pripravljena s to metodo, se dobro ujema in odlično deluje z materialom substrata, vendar je cena razmeroma visoka.
三、Možnosti uporabe: Osvetlite prihodnost
Z nenehnim razvojem tehnologije močnostne elektronike in naraščajočim povpraševanjem po visokozmogljivih in visoko zanesljivih elektronskih napravah ima epitaksialni disk iz silicijevega karbida široko možnost uporabe v proizvodnji polprevodniških naprav.Široko se uporablja pri izdelavi visokofrekvenčnih visokozmogljivih polprevodniških naprav, kot so napajalna elektronska stikala, pretvorniki, usmerniki itd. Poleg tega se pogosto uporablja tudi v sončnih celicah, LED in drugih področjih.
S svojimi edinstvenimi prednostmi zmogljivosti in nenehnim izboljševanjem proizvodnega procesa epitaksialni disk iz silicijevega karbida postopoma kaže svoj velik potencial na področju polprevodnikov.Z razlogom verjamemo, da bo v prihodnosti znanosti in tehnologije igrala pomembnejšo vlogo.
Čas objave: 28. nov. 2023