Silicijeva rezina

Kratek opis:

Semicera Silicon Wafers so temelj sodobnih polprevodniških naprav, ki ponujajo neprimerljivo čistost in natančnost. Te rezine, zasnovane za izpolnjevanje strogih zahtev visokotehnološke industrije, zagotavljajo zanesljivo delovanje in dosledno kakovost. Zaupajte Semiceri za svoje vrhunske elektronske aplikacije in inovativne tehnološke rešitve.


Podrobnosti o izdelku

Oznake izdelkov

Semicera Silicon Wafers so natančno izdelane, da služijo kot osnova za široko paleto polprevodniških naprav, od mikroprocesorjev do fotovoltaičnih celic. Te rezine so izdelane z visoko natančnostjo in čistostjo, kar zagotavlja optimalno delovanje v različnih elektronskih aplikacijah.

Semicera Silicon Wafers, proizvedene z uporabo naprednih tehnik, kažejo izjemno ravnost in enakomernost, ki sta ključni za doseganje visokih izkoristkov pri izdelavi polprevodnikov. Ta raven natančnosti pomaga zmanjšati napake in izboljša splošno učinkovitost elektronskih komponent.

Vrhunska kakovost Semicera Silicon Wafers je razvidna iz njihovih električnih lastnosti, ki prispevajo k boljši učinkovitosti polprevodniških naprav. Z nizkimi stopnjami nečistoč in visoko kakovostjo kristalov te rezine zagotavljajo idealno platformo za razvoj visoko zmogljive elektronike.

Semicera Silicon Wafers, ki je na voljo v različnih velikostih in specifikacijah, je mogoče prilagoditi posebnim potrebam različnih industrij, vključno z računalništvom, telekomunikacijami in obnovljivo energijo. Ne glede na to, ali gre za obsežno proizvodnjo ali specializirane raziskave, te rezine zagotavljajo zanesljive rezultate.

Semicera je predana podpiranju rasti in inovacij v industriji polprevodnikov z zagotavljanjem visokokakovostnih silicijevih rezin, ki ustrezajo najvišjim industrijskim standardom. S poudarkom na natančnosti in zanesljivosti Semicera proizvajalcem omogoča premikanje meja tehnologije, s čimer zagotavlja, da njihovi izdelki ostanejo v ospredju trga.

Predmeti

Proizvodnja

Raziskovanje

Dummy

Parametri kristala

Politip

4H

Napaka orientacije površine

<11-20 >4±0,15°

Električni parametri

Dopant

n-vrsta dušika

Upornost

0,015-0,025 ohm·cm

Mehanski parametri

Premer

150,0±0,2 mm

Debelina

350±25 μm

Primarna ravna orientacija

[1-100]±5°

Primarna ravna dolžina

47,5±1,5 mm

Sekundarno stanovanje

Noben

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Priklon

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45 μm ~ 45 μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Sprednja (Si-face) hrapavost (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Struktura

Gostota mikrocevi

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Kovinske nečistoče

≤5E10atomov/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Sprednja kakovost

Spredaj

Si

Površinska obdelava

Si-face CMP

delci

≤60ea/vafelj (velikost≥0,3μm)

NA

praske

≤5ea/mm. Kumulativna dolžina ≤premera

Kumulativna dolžina≤2*Premer

NA

Pomarančna lupina/jamice/madeži/braze/razpoke/kontaminacija

Noben

NA

Robni odrezki/vdolbine/zlomi/šestokotne plošče

Noben

Politipska območja

Noben

Kumulativna površina≤20%

Kumulativna površina≤30%

Sprednje lasersko označevanje

Noben

Kakovost hrbta

Zadnji zaključek

C-obraz CMP

praske

≤5ea/mm, kumulativna dolžina≤2*premer

NA

Napake na zadnji strani (ostružki robov/vdolbine)

Noben

Hrapavost hrbta

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Lasersko označevanje hrbta

1 mm (od zgornjega roba)

Edge

Edge

Posnemanje

Pakiranje

Pakiranje

Epi-ready z vakuumsko embalažo

Embalaža kaset z več rezinami

*Opombe: "NA" pomeni, da ni zahteve. Elementi, ki niso omenjeni, se lahko nanašajo na SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC rezine

  • Prejšnja:
  • Naprej: