CVD masivni silicijev karbid (SiC)
Pregled:KVBmasivni silicijev karbid (SiC)je zelo iskan material v opremi za plazemsko jedkanje, aplikacijah za hitro termično obdelavo (RTP) in drugih postopkih izdelave polprevodnikov. Zaradi njegovih izjemnih mehanskih, kemičnih in toplotnih lastnosti je idealen material za napredne tehnološke aplikacije, ki zahtevajo visoko natančnost in vzdržljivost.
Uporaba CVD Bulk SiC:Masivni SiC je ključnega pomena v industriji polprevodnikov, zlasti v sistemih za plazemsko jedkanje, kjer komponente, kot so fokusni obroči, plinske prhe, robni obroči in plošče, koristijo SiC-jevi izjemni odpornosti proti koroziji in toplotni prevodnosti. Njegova uporaba sega doRTPsistemov zaradi zmožnosti SiC, da prenese hitra temperaturna nihanja brez znatne degradacije.
Poleg opreme za jedkanje, CVDrazsuti SiCje priljubljen v difuzijskih pečeh in procesih rasti kristalov, kjer se zahteva visoka toplotna stabilnost in odpornost na težka kemična okolja. Zaradi teh lastnosti je SiC izbrani material za aplikacije z velikimi zahtevami, ki vključujejo visoke temperature in jedke pline, kot so tisti, ki vsebujejo klor in fluor.
Prednosti komponent CVD Bulk SiC:
•Visoka gostota:Z gostoto 3,2 g/cm³,CVD masivni SiCkomponente so zelo odporne na obrabo in mehanske udarce.
•Vrhunska toplotna prevodnost:S toplotno prevodnostjo 300 W/m·K SiC v razsutem stanju učinkovito upravlja toploto, zaradi česar je idealen za komponente, ki so izpostavljene ekstremnim toplotnim ciklom.
•Izjemna kemična odpornost:Nizka reaktivnost SiC z jedkalnimi plini, vključno s kemikalijami na osnovi klora in fluora, zagotavlja podaljšano življenjsko dobo komponent.
•Nastavljiva upornost: CVD masivni SiCupornost je mogoče prilagoditi v območju 10⁻²–10⁴ Ω-cm, zaradi česar je prilagodljiv posebnim potrebam po jedkanju in proizvodnji polprevodnikov.
•Koeficient toplotnega raztezanja:S koeficientom toplotnega raztezanja 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C) se CVD masivni SiC upira toplotnemu šoku in ohranja dimenzijsko stabilnost tudi med hitrimi cikli segrevanja in ohlajanja.
•Vzdržljivost v plazmi:Izpostavljenost plazmi in reaktivnim plinom je v polprevodniških procesih neizogibna, vendarCVD masivni SiCnudi vrhunsko odpornost proti koroziji in razgradnji, kar zmanjšuje pogostost zamenjave in splošne stroške vzdrževanja.
Tehnične specifikacije:
•Premer:Večji od 305 mm
•Upornost:Nastavljivo v območju 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Gostota:3,2 g/cm³
•Toplotna prevodnost:300 W/m·K
•Koeficient toplotnega raztezanja:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Prilagajanje in prilagodljivost:priSemicera Semiconductor, razumemo, da lahko vsaka polprevodniška aplikacija zahteva drugačne specifikacije. Zato so naše CVD komponente SiC popolnoma prilagodljive, z nastavljivo upornostjo in prilagojenimi dimenzijami, ki ustrezajo vašim potrebam po opremi. Ne glede na to, ali optimizirate svoje sisteme za plazemsko jedkanje ali iščete vzdržljive komponente v postopkih RTP ali difuzije, naš CVD bulk SiC zagotavlja neprimerljivo zmogljivost.
