Substratni rezin SiC tipa P

Kratek opis:

Semicera P-type SiC Substrate Wafer je zasnovana za vrhunske elektronske in optoelektronske aplikacije. Te rezine zagotavljajo izjemno prevodnost in toplotno stabilnost, zaradi česar so idealne za visoko zmogljive naprave. S Semicero pričakujte natančnost in zanesljivost v svojih substratnih rezinah SiC tipa P.


Podrobnosti o izdelku

Oznake izdelkov

Semicera P-type SiC Substrate Wafer je ključna komponenta za razvoj naprednih elektronskih in optoelektronskih naprav. Te rezine so posebej zasnovane za zagotavljanje izboljšane zmogljivosti v okoljih z visoko močjo in visoko temperaturo, kar podpira naraščajoče povpraševanje po učinkovitih in vzdržljivih komponentah.

Dopiranje tipa P v naših SiC rezinah zagotavlja izboljšano električno prevodnost in mobilnost nosilcev naboja. Zaradi tega so posebej primerni za uporabo v močnostni elektroniki, LED in fotonapetostnih celicah, kjer sta kritična majhna izguba moči in visoka učinkovitost.

Izdelane z najvišjimi standardi natančnosti in kakovosti, Semicera's P-type SiC rezine ponujajo odlično enotnost površine in minimalno stopnjo napak. Te lastnosti so ključnega pomena za panoge, kjer sta doslednost in zanesljivost bistvenega pomena, kot so vesoljski, avtomobilski sektor in sektor obnovljive energije.

Semicerina predanost inovacijam in odličnosti je očitna v naši substratni rezini SiC tipa P. Z integracijo teh rezin v vaš proizvodni proces zagotovite, da vaše naprave izkoristijo izjemne toplotne in električne lastnosti SiC, kar jim omogoča učinkovito delovanje v zahtevnih pogojih.

Naložba v Semicera P-type SiC Substrate Wafer pomeni izbiro izdelka, ki združuje vrhunsko znanost o materialih z natančnim inženiringom. Semicera je namenjena podpori naslednje generacije elektronskih in optoelektronskih tehnologij, ki zagotavlja bistvene komponente, potrebne za vaš uspeh v industriji polprevodnikov.

Predmeti

Proizvodnja

Raziskovanje

Dummy

Parametri kristala

Politip

4H

Napaka orientacije površine

<11-20 >4±0,15°

Električni parametri

Dopant

n-vrsta dušika

Upornost

0,015-0,025 ohm·cm

Mehanski parametri

Premer

150,0±0,2 mm

Debelina

350±25 μm

Primarna ravna orientacija

[1-100]±5°

Primarna ravna dolžina

47,5±1,5 mm

Sekundarno stanovanje

Noben

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5 mm * 5 mm)

≤5 μm (5 mm * 5 mm)

≤10 μm (5 mm * 5 mm)

Priklon

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45 μm ~ 45 μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Sprednja (Si-face) hrapavost (AFM)

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Struktura

Gostota mikrocevi

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Kovinske nečistoče

≤5E10atomov/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Sprednja kakovost

Spredaj

Si

Površinska obdelava

Si-face CMP

delci

≤60ea/vafelj (velikost≥0,3μm)

NA

praske

≤5ea/mm. Kumulativna dolžina ≤premera

Kumulativna dolžina≤2*Premer

NA

Pomarančna lupina/jamice/madeži/braze/razpoke/kontaminacija

Noben

NA

Robni odrezki/vdolbine/zlomi/šestokotne plošče

Noben

Politipska območja

Noben

Kumulativna površina≤20%

Kumulativna površina≤30%

Sprednje lasersko označevanje

Noben

Kakovost hrbta

Zadnji zaključek

C-obraz CMP

praske

≤5ea/mm, kumulativna dolžina≤2*premer

NA

Napake na zadnji strani (ostružki robov/vdolbine)

Noben

Hrapavost hrbta

Ra≤0,2nm (5μm*5μm)

Lasersko označevanje hrbta

1 mm (od zgornjega roba)

Edge

Edge

Posnemanje

Pakiranje

Pakiranje

Epi-ready z vakuumsko embalažo

Embalaža kaset z več rezinami

*Opombe: "NA" pomeni, da ni zahteve. Elementi, ki niso omenjeni, se lahko nanašajo na SEMI-STD.

tech_1_2_size
SiC rezine

  • Prejšnja:
  • Naprej: