Protioksidacijski MOCVD pladenj visoke čistosti, prevlečen s SiC

Kratek opis:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. je vodilni dobavitelj, specializiran za rezine in napredne polprevodniške potrošne materiale.Predani smo zagotavljanju visokokakovostnih, zanesljivih in inovativnih izdelkov za proizvodnjo polprevodnikov,fotovoltaična industrijain druga sorodna področja.

Naša linija izdelkov vključuje grafitne izdelke s prevleko iz SiC/TaC in keramične izdelke, ki zajemajo različne materiale, kot so silicijev karbid, silicijev nitrid in aluminijev oksid itd.

Kot zaupanja vreden dobavitelj razumemo pomen potrošnega materiala v proizvodnem procesu in smo predani zagotavljanju izdelkov, ki izpolnjujejo najvišje standarde kakovosti, da bi izpolnili potrebe naših strank.

Pošljite nam e-pošto

Podrobnosti o izdelku

Oznake izdelkov

Opis

Naše podjetje zagotavljaSiC prevlekaprocesne storitve z metodo CVD na površini grafita, keramike in drugih materialov, tako da posebni plini, ki vsebujejo ogljik in silicij, reagirajo pri visoki temperaturi, da dobimo molekule SiC visoke čistosti, molekule, ki se nanesejo na površino prevlečenih materialov in tvorijoSiC zaščitna plast.

Glavne značilnosti

1. Odpornost proti oksidaciji pri visoki temperaturi:
odpornost proti oksidaciji je še vedno zelo dobra, ko temperatura doseže 1600 C.
2. Visoka čistost: narejeno s kemičnim naparjevanjem v pogojih kloriranja pri visoki temperaturi.
3. Erozijska odpornost: visoka trdota, kompaktna površina, drobni delci.
4. Odpornost proti koroziji: kisline, alkalije, sol in organski reagenti.

Glavne specifikacije prevleke CVD-SIC

SiC-CVD lastnosti
Kristalna struktura	FCC β faza
Gostota	g/cm³	3.21
Trdota	Trdota po Vickersu	2500
Velikost zrn	μm	2~10
Kemijska čistost	%	99,99995
Toplotna zmogljivost	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura sublimacije	℃	2700
Feleksuralna moč	MPa (RT 4-točkovno)	415
Youngov modul	Gpa (upogib 4 točke, 1300 ℃)	430
Toplotna ekspanzija (CTE)	10-6K-1	4.5
Toplotna prevodnost	(W/mK)	300