Opis
Naše podjetje zagotavljaSiC prevlekaprocesne storitve z metodo CVD na površini grafita, keramike in drugih materialov, tako da posebni plini, ki vsebujejo ogljik in silicij, reagirajo pri visoki temperaturi, da dobimo molekule SiC visoke čistosti, molekule, ki se nanesejo na površino prevlečenih materialov in tvorijoSiC zaščitna plast.
Glavne značilnosti
1. Odpornost proti oksidaciji pri visoki temperaturi:
odpornost proti oksidaciji je še vedno zelo dobra, ko temperatura doseže 1600 ℃.
2. Visoka čistost: narejeno s kemičnim naparjevanjem v pogojih kloriranja pri visoki temperaturi.
3. Odpornost proti eroziji: visoka trdota, kompaktna površina, drobni delci.
4. Odpornost proti koroziji: kisline, alkalije, sol in organski reagenti.
Glavne specifikacije prevleke CVD-SIC
| SiC-CVD lastnosti | ||
| Kristalna struktura | FCC β faza | |
| Gostota | g/cm³ | 3.21 |
| Trdota | Trdota po Vickersu | 2500 |
| Velikost zrn | μm | 2~10 |
| Kemijska čistost | % | 99,99995 |
| Toplotna zmogljivost | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura sublimacije | ℃ | 2700 |
| Feleksuralna moč | MPa (RT 4-točkovno) | 415 |
| Youngov modul | Gpa (upogib 4 točke, 1300 ℃) | 430 |
| Toplotna ekspanzija (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Toplotna prevodnost | (W/mK) | 300 |
-
Držalo za rezine iz silicijevega karbida
-
Induktivno ogrevan epitaksi reaktorski sistem
-
LED sijalka, odporna na visoke temperature in korozijo...
-
Čoln za rezine iz silicijevega karbida
-
S SiC prevlečenim polprevodniškim epitaksialnim reaktorjem za ...
-
Porozni tantalov karbid, material za vroče polje za...